Herkunftsort: | China |
Markenname: | Upperbond |
Zertifizierung: | CE, ISO |
Modellnummer: | Hersteller |
Min Bestellmenge: | 2 PC |
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Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 5-8 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 10000 PC/Monat |
Material: | Behandelter Edelstahl | Maschinen-Modelle: | Protos passim MK8, MK9, |
---|---|---|---|
Härte: | Groß erhöht | Andere Modelle: | Skoda, CME, Sasib |
Einschiffungshafen: | Guangzhou, Shanghai | Zigaretten-Durchmesser: | 5.4mm - 8.0mm |
Markieren: | Zigaretten-Verpackungsmaschine-Transistor,Zigaretten-Maschinen-Silikon-Transistor,Zigaretten-Maschinen-dünner Silikon-Transistor |
Max Super Slim Silicon Transistor D2 PAK Cigarette Packing Machine Parts
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das benutzt wird, um elektronische Signale und elektrische Leistung zu verstärken oder zu schalten. Transistoren sind einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Sie wird aus Halbleitermaterial normalerweise mit mindestens drei Anschlüssen für Verbindung zu einem externen Stromkreis verfasst.
IRFZ44NS/LPbF
Parameter | Min. | |
V (BR) DSS | Abfluss-zu-Quelldurchbruchsspannung | 55 |
△仏 Tj V (BR) DSS | Durchbruchsspannung Temp. Koeffizient | — |
RDS (an) | Statischer Abfluss-zu-Quellauf-widerstand | — |
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | 2,0 |
gts | Vorwärtstransconductance | 19 |
bss | Abfluss-zu-Quelldurchsickern-Strom | — |
— | ||
Verlust | Tor-zu-Quellvorwärtsdurchsickern | — |
Tor-zu-Quellrückdurchsickern | — | |
Qg | Gesamttor-Gebühr | — |
Qgs | Tor-zu-Quellgebühr | — |
Qgd | Gebühr des Tor-zu-Abfluss-(„Miller“) | — |
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit | — |
tr | Anstiegszeit | — |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | — |
tf | Abfallzeit | — |
Ls | Interne Quellinduktanz | — |
Cjss | Eingegebene Kapazitanz | — |
Coss | Ausgangskapazität | — |
Crss | Rückübergangskapazitanz | — |
Eas | Einzelimpuls-Lawine Energy® | — |
Benennung
Der Ausdrucktransistor wurde von John R. Pierce als Kontraktion des Ausdruck transresistance geprägt. Entsprechend Lillian Hoddeson und Vicki Daitch hatten Autoren einer Biografie von John Bardeen, Shockley vorgeschlagen, dass das erste Patent Bell-Labors für einen Transistor auf der Feldwirkung basieren sollte und dass er als der Erfinder genannt wird.
Hochfrequenztransistor
Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächesperrengermaniumtransistor, der durch Philco im Jahre 1953 entwickelt wurde, fähig zum Betrieb von bis 60 MHZ. Diese wurden gemacht, indem man Krisen in eine n-artige Germaniumbasis von beiden Seiten mit Jets des Indiums ätzte (III) Sulfat, bis es einige ten-thousandths eines Zoll dick war. Indium galvanisierte in die Krisen bildete den Kollektor und den Emitter.
Ansprechpartner: Kiana
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